Qualcomm Incorporated a anunțat că filiala sa, Qualcomm Technologies, Inc., și Samsung Electronics au extins primul lor deceniu de colaborare pentru fabricarea celor mai recente procesoare Qualcomm Snapdragon premium Technologies, Qualcomm Snapdragon 835, cu tehnologia FinFET Samsung de 10 nanometri (nm).
„Suntem încântați să continuăm să lucrăm împreună cu Samsung în dezvoltarea de produse care conduc industria de telefonie mobilă”, a declarat Keith Kressin, Senior Vice President, Qualcomm Technologies Inc.
În octombrie, Samsung a anunțat că sunt primii din industrie care încep producția de masă a tehnologiei 10 nm FinFET.
În comparație cu predecesorul său FinFET 14 nm, tehnologia Samsung 10 nm permite o creștere de până la 30% a eficienței, performanțe mai mari cu până la 27% și un consum de energie cu 40% mai mic.
Cu ajutorul tehnologiei 10 nm FinFET, procesorul Snapdragon 835 va avea o amprentă mai mică, oferind mai mult spațiu utilizabil în interiorul viitoarelor produse pentru a putea folosi baterii mai mari sau modele mai subtiri.
Este de așteptat ca îmbunătățirea procesoarelor combinate cu un design mai avansat să aducă o viață mai lungă bateriei.
„Suntem încântați să avem posibilitatea de a lucra îndeaproape cu Qualcomm Technologies în producerea Snapdragon 835, folosind tehnologia FinFET 10 nm”, a declarat Jong Shik Yoon, Executive Vice President la Samsung Electronics. „Această colaborare este o etapă extrem de importantă pentru afacere, deoarece înseamnă încredere în tehnologia de vârf Samsung”.
Procesorul Snapdragon 835 este în producție acum și este de așteptat să fie livrat spre viitoarele dispozitive, în prima jumătate a anului 2017. După Snapdragon 835 urmează procesorul Snapdragon 820/21, care are peste 200 de modele în dezvoltare.