Samsung a anunțat noua generație de memorii RAM pentru telefoane

1272

Samsung a anunțat noua generație de cip-uri RAM pentru telefoane mobile – „pentru viitor și după aceea”. În afară de fabricarea unor telefoane extraordinare compania Samsung este cunoscută pentru eforturile sale de a duce tehnologia mobilă la noi niveluri prin dezvoltarea hardware-ului. Compania sud-coreeană a fost prima companie care a produs în trecut cip-uri de 4 GB LPDDR4 RAM în masă și a ajutat chiar pe gigantul american Qualcomm să-și construiască cip-urile Snapdragon. Acum, Samsung a anunțat că a dezvoltat cu succes primul chip de 10 nm LPDDR5 DRAM.

Ce înseamna asta? Ei bine, standardul LPDDR5 este de 1,5 ori mai rapid decât actualul cip LPDDR4X de top, cu o rată de transfer a datelor de 6.400 megabiți pe secundă. În ceea ce privește transferul de date brute, aceasta înseamnă că LPDDR5 poate trimite 51,2 GB de date într-o singură secundă.

Dar ce înseamnă acest lucru în ceea ce privește aplicabilitatea? Potrivit Samsung, acest nou cip va permite aplicații mai puternice pe dispozitivele mobile, făcând funcțiile AI mai rapide și mai bune, precum și o îmbunătățirea a fotografierii, editării și redării rezoluției UHD. În plus, este o componentă importantă pentru vitezele 5G ale viitorului.

Noile cip-uri de memorie RAM, LPDDR5 ar putea aduce o viață mai lungă pentru bateriile aflate pe smartphone-uri, față de LPDDR4, datorită faptului că a fost proiectat să-și reducă tensiunea atunci când procesarea nu este la nivel ridicat. În plus, are un nou mod de „somn profund”, care este de două ori mai eficace decât actualul „mod inactiv” al LPDDR4 și a fost setat pentru a evita suprascrierea în mod constant a celulelor cu o valoare „0” în ele. Ca rezultat, Samsung spune că memoria LPDDR5 este cu până la 30% mai eficientă decât cea a predecesorului său.

LPDDR sau LP-DDR, este un tip de memorie de date DRAM sincronizate cu rate de date dublate pentru dispozitive mobile. Numele complet este Low Power DDR SDRAM, adică Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory – Memorie dinamică sincronă de acces aleatoriu dublu cu putere redusă.

De asemenea, merită remarcat faptul că noile chips-uri LPDDR5 DRAM vor fi disponibile în două configurații. O variantă de 6.400 megabit care funcționează la 1,1 V și o opțiune mai lentă, de 5.500 megabiți, cu ceva mai puțină putere la 1,05 V.

Când vom vedea noile cipuri RAM ultra-rapide în smartphone-urile noastre? Ei bine, dacă Samsung nu este partener cu cineva care urmează să lanseze un nou telefon de vârf până la sfârșitul anului 2018, căruia să-i livreze aceste noi memorii, ne așteptăm ca viitorul Samsung Galaxy S10 să aibă aceste noi generații de memorie la bord.

SURSĂPhoneArena